Mahsulotga umumiy nuqtai

UHB 100 — yuqori{1}}unojatli yuqori-energiyali ion implantatori. U ilg'or yarimo'tkazgichlar ishlab chiqarish uchun chuqur{4}}birlashma doping jarayonlari uchun mo'ljallangan. Yagona zaryadlangan ionlar uchun 8 MeVgacha boʻlgan yuqori tezlanish quvvatiga ega boʻlgan{7}}mashina bitta plafli implantatsiya arxitekturasini qabul qiladi. U ajoyib tizim barqarorligini, parametrlarni aniq nazorat qilishni, implantatsiyaning yuqori bir xilligini va takrorlanuvchanligini ta'minlaydi, mantiq, xotira, tasvirlash va quvvat qurilmalari uchun keng jarayonni qamrab oladi.

Afzalliklar

Ultra{0}}yuqori nurli energiya qobiliyati: bir zaryadli ion energiyasi-1 MeV dan oshadi, maksimal energiya 8 MeV ga etadi, chuqur{4}}quduq va retrograd-quduq implantatsiyasi jarayonlarini qo‘llab-quvvatlaydi.

Yuqori{0}}uzoq{1}}umumli ion manbai: Optimallashtirilgan ion{2}}manba dizayni MeV-darajali tezlashuv sharoitida barqaror chiqishni ta'minlaydi va manbaga texnik xizmat ko'rsatish uchun ishlamay qolish vaqtini qisqartiradi.

Yuqori energiya tozaligi va nurni uzatish samaradorligi: Kengaytirilgan nur{0}}chiziqli optik dizayn nur uzatish samaradorligini yaxshilaydi va yuqori sifatli implantatsiya profillari uchun energiya ifloslanishini bostiradi.

Ajoyib jarayon aniqligi: Ilg'or{0}}tugun ommaviy ishlab chiqarishning qat'iy talablarini qondiruvchi, to'liq dozalar oralig'ida yuqori doza bir xilligi va takrorlanuvchanligi.

Yagona{0}}gofret ishlab chiqarishga- yoʻnaltirilgan arxitektura: Yagona{2}}gofret implantatsiyasi dizayni fablarda aralash-mahsulotni ommaviy-ishlab chiqarish uchun mos boʻlgan retseptlarni almashtirish imkonini beradi.

Ilovalar

UHB 100 asosiy yarimo'tkazgich chiplari uchun yuqori{1}}energiya chuqur-birlashma implantatsiyasini qo'llab-quvvatlaydi:

LOGIC, DRAM, 3D NAND, NOR Flash

CMOS, MOSFET, IGBT, BCD quvvat qurilmalari

MDH, MEMS va boshqa tasvirlash uchun{0}}yarim oʻtkazgich qurilmalarini ishlab chiqarish

Parametrlar

Element	Spetsifikatsiya
Energiya diapazoni	20 keV-8 MeV
Maksimal nur oqimi	B⁺: 1000 mA @1 MeV dan katta yoki unga teng
Doza diapazoni	1E11-5E15 ionlari/sm²
Dozaning bir xilligi (1s)	1E11-5E11 ionlari/sm²: 1% dan kam yoki unga teng;5E11-5E15 ionlari/sm²: 0,5% dan kam yoki unga teng
Dozaning takrorlanishi (1s)	1E11-5E11 ionlari/sm²: 1% dan kam yoki unga teng;5E11-5E15 ionlari/sm²: 0,5% dan kam yoki unga teng

TSS

Savol: UHB 100 uchun asosiy dastur stsenariysi nima?

Javob: UHB 100 asosan mantiqiy chiplar, saqlash chiplari va quvvatli yarimo'tkazgich qurilmalari uchun retrograd quduq va chuqur quduq implantatsiyasi kabi yuqori energiyali chuqur birikma doping uchun ishlatiladi. Bu ilg'or tugun ishlab chiqarish uchun yuqori energiya implantatsiyasining asosiy bosqichlarini qamrab oladi.

Savol: UHB 100 ning maksimal tezlanish energiyasi qancha?

Javob: Yagona zaryadlangan ionlar uchun maksimal energiya 8 MeV ga etadi va 1 MeV dan yuqori energiyada barqaror nur oqimi chiqishiga erishish mumkin.

Savol: Dozani nazorat qilish samaradorligi haqida nima deyish mumkin?

Javob: 1E11 5E11 ion/sm² dozalari diapazoni uchun, 1s bir xillik va takrorlanuvchanlik 1% dan kam yoki unga teng; 5E11 5E15 ionlari/sm² uchun, 1s bir xillik va takrorlanish 0,5% dan kam yoki unga teng, bu IC fablari uchun qat'iy ommaviy ishlab chiqarish talablariga javob beradi.

Savol: UHB 100 bitta ishlab chiqarish liniyasida boshqa SEMICORE implantatorlari bilan ishlashi mumkinmi?

Javob: Ha. UHB 100 past energiya, o'rta energiya va yuqori energiya jarayonlarini qamrab oluvchi to'liq mahalliy ion implantatsiyasi yechimini yaratish uchun CIP seriyali o'rta oqim implantatorlari, CIC seriyali yuqori oqim implantatorlari bilan birlashtirilishi mumkin.

Savol: Qanday xizmatlar ko'rsatilishi mumkin?

Javob: SEMICORE ZKX ehtiyot qismlarni to‘liq yetkazib berish, yillik texnik xizmat ko‘rsatish, xizmat ko‘rsatishda fab ko‘chirish, uskunani ta’mirlash, uchastkada texnik yordam va ishlab chiqarish liniyasini ishga tushirish uchun jarayon retseptini sozlashni ta’minlaydi.

Savol: UHB 100 28 nm ommaviy ishlab chiqarishga mos keladimi?

Javob: Ha. UHB 100 mahalliy keng ko'lamli integral mikrosxemalar ishlab chiqarish liniyalari uchun 28 nm tugungacha bo'lgan ommaviy ishlab chiqarish jarayonlari uchun tasdiqlangan.

Issiq teglar: yuqori energiyali ion implantatori, Xitoyning yuqori energiyali ion implantatori ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilari