Umumiy 200 mm CMOS chiplarining gofret ishlab chiqarish jarayoni.
Kimyoviy bug 'cho'kishi - bu dielektrik material yoki yarim o'tkazgich bo'lishi mumkin bo'lgan yupqa plyonkani yotqizish uchun mikroelektronik qurilmalarni ishlab chiqarishda qo'llaniladigan usul. Jismoniy bug 'cho'ktirish texnologiyasi püskürtme maqsadlariga ta'sir qilish va gofret yuzasiga kerakli materialni joylashtirish uchun inert gazlardan foydalanadi. Texnologik reaktsiya kamerasi ichidagi yuqori harorat va vakuum muhiti bu metall atomlarining donalarini hosil qilishi mumkin, keyinchalik ular kerakli Supero'tkazuvchilar konturni olish uchun naqsh va chizilgan bo'lishi mumkin.
Optik rivojlanish - bu grafikani fotomaskadan yupqa plyonkaga aylantirish jarayoni. Optik rivojlanish odatda fotorezist qoplama, pishirish, yorug'lik moslamasi, ta'sir qilish va rivojlanish kabi bosqichlarni o'z ichiga oladi. Quruq qirqish eng ko'p qo'llaniladigan qirqish usuli bo'lib, u reaktsiyani boshqarish uchun asosiy o'chirish vositasi va plazma sifatida gazdan foydalanadi. Eching - bu sirtdan keraksiz materialni olib tashlash.
Kimyoviy mexanik sayqallash (CMP) - bu mexanik sayqallash va kislota{0}}asos eritmasi asosidagi kimyoviy sayqallashni o'zida mujassam etgan texnologiya bo'lib, gofret yuzasini nisbatan tekis qiladi va keyingi jarayonlarni osonlashtiradi. Öğütme paytida, silliqlash atala gofret va silliqlash yostig'i o'rtasida bo'ladi. CMP ga ta'sir qiluvchi omillar orasida silliqlash boshining bosimi va gofret tekisligi, aylanish tezligi, silliqlash shlamining kimyoviy tarkibi va boshqalar kiradi.
